Siliziumkarbid-Halbleiter sollen laut Vitesco und onsemi vor einem steigenden Nachfrageschub stehen.
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Siliziumkarbid-Halbleiter sollen laut Vitesco und onsemi vor einem steigenden Nachfrageschub stehen.

SiC-Vereinbarung mit onsemi

Vitesco Technologies bereit für die Elektrifizierung

Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) stellen eine Schlüsseltechnologie für die Elektrifizierung dar, weil sie effiziente Leistungselektroniken ermöglichen. Dabei geht es um die Verkürzung der Ladezeiten und die Reichweitenerhöhung von Elektroautos. Vitesco Technologies und onsemi haben nun eine langfristige SiC-Vereinbarung getroffen.

Vitesco Technologies und onsemi gehen ein langfristiges Lieferabkommen für Siliziumkarbid-Produkte (SiC) im Wert von 1,75 Milliarden Euro über zehn Jahre ein. Zusätzlich investiert Vitesco 230 Millionen Euro in Anlagen bei onsemi zur Herstellung von SiC-Boules, SiC-Wafern und zur Epitaxie. Das Geld soll insbesondere für die Produktion von SiC-Wafern verwendet werden, damit der steigende Bedarf von Vitesco gedeckt werden kann. Der Hersteller für intelligente Leistungs- und Sensortechnologie onsemi plant dazu noch, in die End-to-End-SiC-Lieferkette zu investieren. Beide Unternehmen wollen zudem noch gemeinsam die Entwicklung von optimierten Kunden-Lösungen vorantreiben.

„Energieeffiziente Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid stehen vor einem enormen Nachfrageschub. Deshalb ist es für uns von strategischer Bedeutung, gemeinsam mit unserem Partner onsemi Zugriff auf den gesamten Wertschöpfungsprozess bei SiC zu haben. Durch die Beteiligung bekommen wir auf zehn Jahre und darüber hinaus Liefersicherheit bei einer Schlüsseltechnologie“, so Andreas Wolf, Vorstandsvorsitzender von Vitesco Technologies. Insbesondere bei hohen Spannungslagen wie 800 Volt sollen SiC-Inverter effizienter als Silizium-Modelle sein. (msb)

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